H - Electricity – 03 – K
Patent
H - Electricity
03
K
H03K 19/0175 (2006.01)
Patent
CA 2631032
A method for using an inverter with a pair of complementary junction field effect transistors (CJFET) with a small linewidth is provided. The method includes having an input capacitance for said CJFET inverter to be less than the corresponding input capacitance of a CMOS inverter of similar linewidth. The CJFET operates at a power supply with a lesser value than the voltage drop across a forward-biased diode having a reduced switching power as compared to said CMOS inverter and having a propagation delay for said CJFET inverter that is at least comparable to the corresponding delay of said CMOS inverter.
L'invention concerne un procédé permettant d'utiliser un onduleur avec une paire de transistors à effet de champ à jonctions complémentaires (CJFET) présentant une faible définition de trait. Le procédé inclut le fait d'avoir une capacité d'entrée pour ledit onduleur à transistors CJFET qui soit inférieure à la capacité d'entrée correspondante d'un onduleur à transistors CMOS de définition de trait semblable. L'onduleur à transistors CJFET fonctionne sous une alimentation de valeur moindre que la chute de tension aux bornes d'une diode polarisée en direct présentant une puissance de commutation réduite par comparaison audit onduleur à transistors CMOS et présentant un retard de propagation, pour ledit onduleur à transistors CJFET, qui est au moins comparable au retard correspondant dudit onduleur à transistors CMOS.
Dsm Solutions Inc.
Kirby Eades Gale Baker
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1734194