C - Chemistry – Metallurgy – 01 – B
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
01
B
C01B 31/02 (2006.01) B01J 23/745 (2006.01)
Patent
CA 2564421
A method for preparing a carbon nanostructure wherein a carbon crystal is grown by the vapor phase growth from the crystal growth plane of a catalyst substrate (17) containing a catalyst material (11), and wherein the catalyst substrate (17) is formed through a diameter reduction working. It is preferred that the catalyst substrate (17) is formed as a collection of a plurality of catalyst structures wherein a non-catalyst material (12) having substantially no catalytic action to the growth of a carbon crystal is formed on at least a part of the side surface of a columnar catalyst material (11) having the crystal growth plane as its top surface. It is also preferred that a non- catalyst material (15) is formed on at least a part of the side surface of the collection and that a variation in the surface area of the catalyst material (11) in the crystal growth plane between catalyst structures is CV 10 % or less. The above method can be employed for improving the uniformity in the shape of the carbon nanostructure and the purity of the structure, while reducing the cost for the preparation thereof.
Procédé servant à préparer une nanostructure en carbone, lequel procédé comprend de faire croître un cristal de carbone par la croissance en phase vapeur à partir du plan de croissance du cristal d'un substrat catalyseur (17) contenant une matière catalyseur (11) et lequel procédé comprend de former le substrat catalyseur (17) grâce à une opération de réduction de diamètre. On préfère que le substrat catalyseur (17) soit formé d'un assemblage d'une pluralité de structures de catalyseur où une matière non catalyseur (12) n'ayant pratiquement aucune action catalytique sur la croissance d'un cristal de carbone est formée sur au moins une partie de la surface latérale d'une matière catalyseur de structure basaltique (11) ayant le plan de croissance du cristal comme surface supérieure. On préfère également qu'une matière non catalyseur (15) soit formée sur au moins une partie de la surface latérale de l'assemblage et que la variation de la surface de la matière catalyseur (11) dans le plan de la croissance du cristal entre les structures de catalyseur soit inférieure ou égale à 10 % CV. On peut employer le procédé ci-dessus pour améliorer l'uniformité en termes de forme de la nanostructure en carbone et de pureté de la structure, tout en réduisant le coût de la préparation de celle-ci.
Bereskin & Parr Llp/s.e.n.c.r.l.,s.r.l.
Sumitomo Electric Industries Ltd.
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1641723