Method of producing synthetic diamond

C - Chemistry – Metallurgy – 30 – B

Patent

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Details

C30B 29/04 (2006.01) C23C 16/04 (2006.01) C23C 16/27 (2006.01) C23C 16/48 (2006.01)

Patent

CA 2100132

A method for synthesizing a diamond by vapor deposition permits selectively growing high quality diamond on any desired region of a base material at a lower temperature compared to respective conventional temperatures starting with a raw material gas which is prepared by diluting a compound containing carbon atoms such as methane with hydrogen gas. This diluted raw material gas is irradiated with a laser beam satisfying at least one of the following two conditions, namely a spread angle of 1 x 10-1 mrad to 5 x 10-1 mrad during oscillation or a half-power band width of 1 x 10-4 nm to 1 x 10-1 nm with respect to a band width of an oscillation having a wavelength of 190 nm to 360 nm. Diamond is deposited on the base material from a chemical species generated by such irradiation.

Méthode de fabrication de diamants synthétiques au moyen de la déposition par évaporisation sous vide permettant de constituer de manière sélective des diamants de grande qualité sur n'importe région voulue d'un matériau de base à une température moins élevée comparativement aux températures classiques correspondantes en utilisant d'abord comme matière première un gaz préparé en diluant un composé renfermant des atomes de carbone, comme le méthane avec de l'hydrogène. Ce gaz dilué utilisé comme matière première est irradié à l'aide d'un laser remplissant au moins une des deux conditions suivantes, soit, une ouverture angulaire de 1 x 10-1 mrad à 5 x 10-1 mrad pendant l'oscillation ou une largeur de bande à demi-puissance de 1 x 10-nm à 1 x 10-nm par rapport à une largeur de bande d'une oscillation possédant une longueur d'onde de 190 nm à 360 nm. Le diamant est obtenu par déposition sur le matériau de base à partir d'une substance chimique produite par l'irradiation.

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