Method of recovering overerased bits in a memory device

Details Method of recovering overerased bits in a memory device Method of recovering overerased bits in a memory device

G - Physics

11

C

G11C 16/04 (2006.01) G11C 7/00 (2006.01) G11C 16/06 (2006.01)

Patent

CA 2497528

A method (Fig. 1) of recovering overerased bits in a memory cell. In the method, a pair of reference currents (I11H, I11L) are internally generated (301) to define a current window corresponding to the erased state ("11") of the memory cell. The first reference current defines the highest current of the current window (12) and the second reference current defines the lowest current of the current window. Then, it is determined (302) which of the memory cells in a memory array are in an overerased state (13) by having an amount of charge on its floating gate that corresponds to a conduction current during a read operation that is greater than the first reference current. Then, the overerased cells are programmed (303; Fig. 8) until the cells are in the erased state.

L'invention concerne un procédé (Fig. 1) de récupération de bits écrasés dans une cellule mémoire. Dans ce procédé, une paire de courants de référence (I¿11H?, I¿11L?) sont produits de manière interne (301) pour définir une plage de courant correspondant à l'état effacé (<= 11 >=) de la cellule de mémoire. Le premier courant de référence constitue le courant le plus élevé de la plage de courant (12) et le second courant de référence constitue le courant le plus bas de la plage de courant. Ensuite, le procédé consiste à déterminer (302) quelles sont les cellules mémoires dans une matrice mémoire qui sont dans un état d'écrasement (13) et qui présentent une charge sur la grille flottante correspondant à un courant de conduction durant une opération de lecture qui est supérieur au premier courant de référence. Ensuite, les cellules écrasées sont modifiées (303 ; Fig. 8) jusqu'à ce que les cellules mémoire soient dans l'état effacé.

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