Method of room temperature covalent bonding

H - Electricity – 01 – L

Patent

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Details

H01L 21/02 (2006.01) H01L 21/306 (2006.01) H01L 21/56 (2006.01) H01L 23/535 (2006.01) H01L 27/00 (2006.01) H01L 29/12 (2006.01)

Patent

CA 2526481

A method of bonding includes using a bonding layer having a fluorinated oxide. Fluorine may be introduced into the bonding layer by exposure to a fluorine- containing solution, vapor or gas or by implantation. The bonding layer may also be formed using a method where fluorine is introduced into the layer during its formation. The surface of the bonding layer is terminated with a desired species, preferably an NH2 species. This may be accomplished by exposing the bonding layer to an NH4OH solution. High bonding strength is obtained at room temperature. The method may also include bonding two bonding layers together and creating a fluorine distribution having a peak in the vicinity of the interface between the bonding layers. One of the bonding layers may include two oxide layers formed on each other. The fluorine concentration may also have a second peak at the interface between the two oxide layers.

L'invention concerne un procédé de liaison consistant à utiliser une couche de liaison présentant un oxyde fluoré. Le fluor peut être introduit dans la couche de liaison par exposition à une solution contenant du fluor, à de la vapeur ou du gaz ou par implantation. La couche de liaison peut aussi être formée au moyen d'un procédé au cours duquel du fluor est introduit dans la couche pendant sa formation. La surface de la couche de liaison se termine par une espèce voulue, de préférence une espèce de NH¿2?. Ceci est accompli par exposition de la couche de liaison à une solution de NH¿4?OH. Un pouvoir de liaison élevé est obtenu à température ambiante. Ce procédé consiste aussi à relier deux couches de liaison ensemble et à créer une répartition de fluor présentant un pic à proximité de l'interface entre les couches de liaison. Une des couches de liaison peut comprendre deux couches d'oxyde formées l'une sur l'autre. La concentration de fluor peut également présenter un second pic au niveau de l'interface entre les deux couches d'oxyde.

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