H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 21/768 (2006.01)
Patent
CA 2330653
Ultraviolet (UV) laser output exploits the absorption characteristics of the materials from which an electrically conductive link (42), an underlying semiconductor substrate (50), and passivation layers (48 and 54) are made to effectively remove the link (42) without damaging the substrate (50). The UV laser output forms smaller than conventional IR laser link-blowing spot diameters (58) because of its shorter wavelength, thus permitting the implementation of greater circuit density. A passivation layer positioned between the link and the substrate can be formulated to be sufficiently absorptive to UV laser energy and sufficiently thick to attenuate the laser energy to prevent it from damaging the substrate (50) in the laser beam spot area (43) in both the off-link and link-overlapped portions. The UV laser output can be employed to controllably ablate a depthwise portion of the passivation layer (54) underlying the link (42) to facilitate complete removal of the link (42). In addition, direct ablation of the passivation layer (48) with the UV laser output facilitates predictable and consistent link severing profiles. The absorption characteristics of the passivation material also reduce the risk of damage to neighboring links or other active structures.
L'invention concerne un procédé à base de laser utilisant une sortie de laser ultraviolet (U.V.) qui exploite les caractéristiques d'absorption des matériaux à partir desquels une connexion (42) électriquement conductrice, un substrat de semi-conducteur (50) sous-jacent, et des couches de passivation (48, 54) sont réalisés, de manière à enlever efficacement ladite connexion (42), sans endommager le substrat (50). La sortie de laser U.V. forme des diamètres de point de rupture de connexion plus petits que ceux des lasers classiques infrarouges, du fait que la longueur d'onde de ladite sortie de laser U.V. est plus courte, ce qui permet la mise en oeuvre d'une densité de circuit plus grande. Une couche de passivation placée entre la connexion et le substrat peut être formulée, de manière à absorber suffisamment d'énergie du laser U.V. et à être suffisamment épaisse pour atténuer l'énergie du laser, ce qui l'empêche d'endommager le substrat (50) dans la zone d'impact (43) du faisceau laser, dans les parties qui se trouvent hors des connexions et dans les parties recouvertes par les connexions. La sortie de laser U.V. peut être utilisée pour effectuer l'ablation sous contrôle d'une partie épaisse de la couche de passivation (54), située sous la connexion (42), de manière à faciliter l'enlèvement complet de ladite connexion (42). En outre, l'ablation directe de la couche de passivation (48) au moyen de la sortie de laser U.V. facilite des profiles de sectionnement de connexion constants et prévisibles. Les caractéristiques d'absorption du matériau de passivation réduisent également le risque d'endommagement des connexions voisines ou d'autres structures actives.
Sun Yunlong
Swenson Edward
Electro Scientific Industries Inc.
Smart & Biggar
LandOfFree
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