H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 21/203 (2006.01)
Patent
CA 2568789
Surface of a thin film formed on a surface of substrate of AlxGayIn1-x-yAszP1- z (0<=x<1, 0<=y and z<=1) including simple substances GaAs and InP is irradiated with electron beams controlled at any arbitrary electron beam diameter and current density so as to cause any natural oxide film formed on GaAs surface to undergo selective Ga2O3 substitution or formation. Thereafter, the temperature of the substrate is adjusted to given temperature so as to effect detachment of the natural oxide film at region other than that of Ga2O3 substitution. Selective growth of a Group III-V compound semiconductor crystal is carried out on the substrate on its side of natural oxide film detachment in accordance with the molecular beam epitaxial growing technique to thereby achieve an increase of substrate density. Thus, there can be accomplished on- site formation of a circuit pattern having the crystal film thickness along the direction of crystal growth uniformalized on the order of nanometers.
Il est prévu un film mince formé sur une surface de substrat de Al¿x?Ga¿y?In¿1-x-y?As¿z?P¿1-z? (0<=x<1, 0<=y et z<=1) comprenant de simples substances GaAs et InP dont on irradie la surface avec des faisceaux d'électrons contrôlés à un diamètre arbitraire de faisceau d'électrons et une densité courante pour provoquer la substitution ou la formation sélectives Ga¿2?O¿3? de n~importe quel film d~oxyde naturel formé sur une surface GaAs. Ensuite, on ajuste la température du substrat à une température donnée pour détacher le film d~oxyde naturel à une région autre que celle de la substitution Ga¿2?O¿3?. La croissance sélective d~un cristal semi-conducteur de composé de groupe III-V se déroule sur le substrat au niveau de son côté de détachement de film d~oxyde naturel selon la technique de croissance épitaxiale de faisceau moléculaire pour ainsi augmenter la densité du substrat. Ainsi, on peut obtenir la formation sur site d~un motif de circuit ayant l~épaisseur du film de cristal dans la direction de croissance cristalline uniformisée à quelques nanomètres près.
Kaneko Tadaaki
Sakaue Kiyoshi
Sano Naokatsu
Gowling Lafleur Henderson Llp
Riber
LandOfFree
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