G - Physics – 08 – B
Patent
G - Physics
08
B
G08B 23/00 (2006.01)
Patent
CA 2581096
A multi-segmented non-volatile flash memory structure is employed in combination with at least one associated memory structure for storing, updating, and preserving meter data. By initially storing meter data in the associated memory, meter data is buffered until either a predetermined amount of data is obtained or until power to the meter is disabled (124) , at which point the stored meter data is copied into selected blocks of flash memory (126). The various locations for transferring data are respectively determined by flash pointers indicating which segments or blocks of flash memory to utilize. In some embodiments, the size of the associated memory structure corresponds to the size of each segment of flash memory to maximize data transfer when the associated memory structure is full and also to reduce the number of times the flash memory is written to, thus increasing the potential active lifespan of the flash memory.
Une structure de mémoire flash non volatile à segments multiples est utilisée en combinaison avec au moins une structure de mémoire associée à des fins de stockage, de mise à jour et de conservation de données de mesure. En stockant initialement les données de mesure dans la mémoire associée, les données de mesure sont tamponnées soit jusqu'à ce qu'une quantité prédéterminée de données soit obtenue (124), soit jusqu'à ce que l'alimentation du compteur soit désactivée; les données de mesure stockées étant alors copiées dans des blocs sélectionnés de la mémoire flash (126). Les divers emplacements de transfert des données sont déterminés respectivement par des pointeurs flash qui indiquent les segments ou blocs de mémoire flash à utiliser. Dans certains modes de réalisation, la taille de la structure de la mémoire associée correspond à la taille de chaque segment de la mémoire flash de façon à maximiser le transfert de données lorsque la structure de mémoire associée est pleine et réduire le nombre d'opérations d'écriture dans la mémoire flash, ce qui a pour effet d'augmenter la durée de vie potentielle de la mémoire flash.
Norrod Eric
Seal Brian
Simmons Stephen
Itron Inc.
Smart & Biggar
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1740182