H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 21/316 (2006.01) H01L 21/3105 (2006.01) H01L 21/768 (2006.01)
Patent
CA 2413592
Silica dielectric films, whether nonporous foamed silica dielectrics or nonporous silica dielectrics are readily damaged by fabrication methods and reagents that reduce or remove hydrophobic properties from the dielectric surface. The invention provides for methods of imparting hydrophobic properties to such damaged silica dielectric films present on a substrate. The invention also provides plasma-based methods for imparting hydrophobicity to both new and damaged silica dielectric films. Semiconductor devices prepared by the inventive processes are also provided.
Selon l'invention, les films diélectriques de silicium, qu'il s'agisse de diélectriques de silicium nanoporeux aérés ou de diélectriques de silicium nanoporeux, sont très vite endommagés au cours des procédés de fabrication et par les réactifs qui réduisent ou éliminent les propriétés hydrophobes des surfaces diélectriques. L'invention concerne des procédés permettant de conférer des propriétés hydrophobes à des films diélectriques de silicium endommagés présents sur un substrat. L'invention concerne également des procédés au plasma destinés à conférer des propriétés hydrophobes à la fois à des films diélectriques de silicium neufs et à des films diélectriques de silicium endommagés. L'invention concerne également des dispositifs à semi-conducteurs obtenus à l'aide de ces procédés.
Drage James S.
Hacker Nigel P.
Thomas Michael
Gowling Lafleur Henderson Llp
Honeywell International Inc.
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1583910