C - Chemistry – Metallurgy – 09 – K
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
09
K
C09K 13/00 (2006.01) C09K 13/06 (2006.01) C09K 13/08 (2006.01) H01L 21/321 (2006.01)
Patent
CA 2309583
A cleaning solution, method, and apparatus for cleaning semiconductor substrates after chemical mechanical polishing of copper films is described. The present invention includes a cleaning solution which combines deionized water, an organic compound, and an ammonium compound in an acidic pH environment for cleaning the surface of a semiconductor substrate after polishing a copper layer. Such methods of cleaning semiconductor substrates after copper CMP alleviate the problems associated with brush loading and surface and subsurface contamination. The figure illustrates a flowchart of one embodiment of the process of the present invention wherein (310) is the step of polishing a copper layer on a semiconductor substrate followed by (320) the step of placing the polished semiconductor substrate in a scrubber followed by (330) the step of scrubbing the polished semiconductor substrate and ending with (340) the step of applying an acidic cleaning solution to the polished semiconductor substrate during scrubbing.
L'invention concerne une solution, un procédé et un appareil de nettoyage de substrats semiconducteurs après le polissage mécanico-chimique de couches de cuivre. Pour ce faire, on utilise une solution nettoyante qui combine de l'eau désionisée, un composé organique et un composé d'ammonium dans un environnement à pH acide, pour nettoyer la surface d'un substrat semiconducteur après le polissage d'une couche de cuivre. Lesdits procédés de nettoyage de substrats semiconducteurs après le polissage mécanico-chimique de la couche de cuivre permettent d'atténuer les problèmes associés aux brosses contaminées et à la contamination de surface et de sous-surface. La Figure représente le diagramme d'un mode de réalisation du procédé de l'invention, dans lequel (310) correspond à l'étape de polissage d'une couche de cuivre sur un substrat semiconducteur suivie par (320), qui correspond à l'étape de placement du substrat semiconducteur dans une laveuse à la brosse, suivie par (330), étape de lavage à la brosse du semiconducteur poli, suivie de (340), étape d'application d'une solution nettoyante acide sur le substrat semiconducteur poli pendant le lavage à la brosse.
de Larios John M.
Hymes Diane J.
Li Xu
Zhao Yuexing
Fetherstonhaugh & Co.
Lam Research Corporation
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1901409