Methods and apparatus for optically measuring polarization...

G - Physics – 01 – R

Patent

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G01R 33/02 (2006.01) G01R 15/24 (2006.01) G01R 33/032 (2006.01) G02B 6/42 (2006.01)

Patent

CA 2360606

Described are the design of a rare earth iron garnet sensor element, optical methods of interrogating the sensor element, methods of coupling the optical sensor element to a waveguide, and an optical and electrical processing system for monitoring the polarization rotation of a linearly polarized wavefront undergoing external modulation due to magnetic field or electrical current fluctuation. The sensor element uses the Faraday effect, an intrinsic property of certain rare-earth iron garnet materials, to rotate the polarization state of light in the presence of a magnetic field. The sensor element (17) may be coated with thin-film mirror (13) to effectively double the optical path length, providing twice the sensitivity for a given field strength or temperature change. A semiconductor sensor system using a rare earth iron garnet sensor element is described.

L'invention concerne une structure d'élément détecteur à grenat ferreux aux terres rares, des procédés d'interrogation optique de cet élément détecteur, des procédés de couplage dudit élément détecteur optique à un guide d'ondes, et un système de traitement optique et électrique permettant de contrôler la rotation de polarisation d'un front d'onde polarisé de manière linéaire et soumis à une modulation extérieure due à une fluctuation du champ magnétique ou du courant électrique. L'élément détecteur utilise l'effet Faraday, une propriété intrinsèque de certains corps à grenat ferreux aux terres rares, pour faire pivoter l'état de polarisation de la lumière en présence d'un champ magnétique. Cet élément détecteur (17) peut par ailleurs être revêtu d'un miroir à couches minces (13) afin de doubler effectivement la longueur du trajet optique, ce qui permet d'obtenir une sensibilité deux fois supérieure pour une variation donnée de l'intensité de champ ou de la température. Cette invention concerne également un système détecteur à semiconducteur utilisant un élément détecteur à grenat ferreux aux terres rares.

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Profile ID: LFCA-PAI-O-2011358

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