H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/0304 (2006.01)
Patent
CA 2692126
The present invention utilizes epitaxial lift-off in which a sacrificial layer is included in the epitaxial growth between the substrate and a thin film III-V compound solar cell. To provide support for the thin film III-V compound solar cell in absence of the substrate, a backing layer is applied to a surface of the thin film III-V compound solar cell before it is separated from the substrate. To separate the thin film III-V compound solar cell from the substrate, the sacrificial layer is removed as part of the epitaxial lift-off. Once the substrate is separated from the thin film III-V compound solar cell, the substrate may then be reused in the formation of another thin film III-V compound solar cell.
La présente invention concerne l'utilisation d'un décollement épitaxique dans lequel une couche sacrificielle est intégrée dans la croissance épitaxiale entre le substrat et une cellule solaire à composé III-V en couche mince. Afin d'assurer le support de la cellule solaire à composé III-V en couche mince en l'absence du substrat, une couche de support est appliquée sur une surface de la cellule solaire à composé III-V en couche mince avant qu'elle ne soit séparée du substrat. Afin de séparer la cellule solaire à composé III-V en couche mince du substrat, la couche sacrificielle est retirée dans le cadre du décollement épitaxique. Une fois séparé de la cellule solaire à composé III-V en couche mince, le substrat peut ensuite être réutilisé pour produire une autre cellule solaire à composé III-V en couche mince.
Hillier Glen
Martin Genevieve
Mccallum David
Pan Noren
Tatavarti Rao
Cassan Maclean
Microlink Devices Inc.
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-2055629