C - Chemistry – Metallurgy – 23 – C
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
23
C
C23C 16/24 (2006.01)
Patent
CA 2654732
The present invention relates to a method for preparing a polysilicon rod using a metallic core means, comprising: installing a core means in an inner space of a deposition reactor used for preparing a silicon rod, wherein the core means is constituted by forming one or a plurality of separation layer(s) on the surface of a metallic core element and is connected to an electrode means; heating the core means by supplying electricity through the electrode means; and supplying a reaction gas into the inner space for silicon deposition, thereby forming a deposition output in an outward direction on the surface of the core means. According to the present invention, the deposition output and the core means can be separated easily from the silicon rod output obtained by the process of silicon deposition, and the contamination of the deposition output caused by impurities of the metallic core element can be minimized, thereby a high-purity silicon can be prepared in a more economic and convenient way.
La présente invention concerne un procédés de préparation d'un barreau de silicium polycristallin utilisant un moyen à noyau métallique, comprenant: l'installation d'un ensemble noyau métallique dans un espace interne d'un réacteur de dépôt utilisé pour préparer un barreau de silicium, ledit ensemble noyau (C) étant constitué en formant une ou une pluralité de couche(s) de séparation à la surface d'un élément à noyau métallique et étant relié à un moyen d'électrode (E), le chauffage de l'ensemble noyau (C) en alimentant de l'électricité à travers le moyen d'électrode (E), et l'alimentation d'un gaz de réaction (Gf) dans l'espace interne (Ri) pour le dépôt de silicium, formant ainsi un produit de dépôt (D) dans une direction vers l'extérieur sur la surface de l'ensemble noyau (C). Selon la présente invention, le produit de dépôt et l'ensemble noyau (C) peuvent être facilement séparés du barreau de silicium obtenu par le procédé de dépôt de silicium, et la contamination de produit de dépôt entraînée par les impuretés de l'élément à noyau métallique (Ca) peut être minimisée, permettant ainsi la préparation de silicium de grande pureté d'une manière plus économique et pratique.
Choi Won Choon
Kim Hee Young
Moon Sang Jin
Park Yong Ki
Yoon Kyung Koo
Blake Cassels & Graydon Llp
Korea Research Institute Of Chemical Technology
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1385373