G - Physics – 06 – F
Patent
G - Physics
06
F
G06F 11/16 (2006.01) G06F 12/16 (2006.01) G11C 29/00 (2006.01)
Patent
CA 2481492
In methods for storing data in a non-volatile ferroelectric random access memory wherein destructive readout operations are followed by rewrite operations, identical copies of the data are stored in different memory locations that do not have any common word lines or alternative neither common word lines nor common bit lines. A first word line or a segment of a first word line is read in its entirety, said word line or said segment comprising at least a first copy of the identical copies of data. The data thus read are rewritten to the memory location and in addition transferred from the memory location in question to an appropriate cache location, whereafter subsequent memory locations either in the form of word lines or segments thereof are read, and data rewritten to the cache location. The operation is repeated until all identical copies of the data have been transferred to the cache storage. Subsequently bit errors are detected by comparing the identical copies in a memory control logic circuit, which also may be used for caching readout data copies or alternatively be connected with a separate cache memory. Corrected data are written back to the appropriate memory locations holding bit errors when the latter have been detected.
L'invention concerne des procédés de mémorisation de données dans une mémoire vive ferroélectrique non volatile, procédés dans lesquels les opérations de lecture avec effacement sont suivies par des opérations de réécriture, des copies identiques des données sont mémorisées dans des emplacements mémoires différents qui n'ont aucun canal de mots courants, ni de variantes de canaux de mots courants ou de canaux bits courants. Un premier canal mots ou un segment d'un premier canal mots est lu dans son intégralité, ledit canal mots ou ledit segment comprenant au moins une première copie des copies identiques de données. Les données ainsi lues sont réécrites à l'emplacement mémoire et, en outre, transférées de l'emplacement mémoire en question vers un emplacement cache approprié, après quoi des emplacements mémoires subséquents, soit sous forme de canaux mots, soit sous forme de segments de ceux-ci, sont lus, et les données réécrites vers l'emplacement cache. L'opération est répétée jusqu'à ce que toutes les copies identiques des données aient été transférées à la mémoire cache. Ensuite, les erreurs de bits sont détectées en comparant les copies identiques dans un circuit logique de commande de mémoire, qui peut être également utilisé pour la mise en cache des copies de données d'affichage ou, en variante, être connecté avec une mémoire cache séparée. Les données corrigées sont réécrites aux emplacements mémoires appropriés, en retenant des erreurs de bits lorsque ces dernières ont été détectées.
Karlsson Christer
Torjussen Lars Sundell
Robic
Thin Film Electronics Asa
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1480753