H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 35/34 (2006.01) C30B 25/18 (2006.01)
Patent
CA 2676089
A substrate is provided including a growth surface that is offcut relative to a plane defined by a crystallographic orientation of the substrate at an offcut angle of about 5 degrees to about 45 degrees. A thermoelectric film is epitaxially grown on the growth surface. A crystallographic orientation of the thermoelectric film may be tilted about 5 degrees to about 30 degrees relative to the growth surface. The growth surface of the substrate may also be patterned to define a plurality of mesas protruding therefrom prior to epitaxial growth of the thermoelectric film. Related methods and thermoelectric devices are also discussed.
L'invention concerne un substrat comprenant une surface de croissance qui est découpée par rapport à un plan défini par une orientation cristallographique du substrat à un angle de troncature d'environ 5 degrés à environ 45 degrés. Un film thermoélectrique est mis à croître de manière épitaxiale sur la surface de croissance. Une orientation cristallographique du film thermoélectrique peut être inclinée d'environ 5 degrés à environ 30 degrés par rapport à la surface de croissance. La surface de croissance du substrat peut également être pourvue d'un motif de manière à définir une pluralité de mesas faisant saillie à partir de celle-ci avant une croissance épitaxiale du film thermoélectrique. Des procédés et des dispositifs thermoélectriques associés sont également décrits.
Pierce Jonathan M.
Vaudo Robert P.
Nextreme Thermal Solutions Inc.
Sim & Mcburney
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1370168