H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 21/20 (2006.01) H01L 29/20 (2006.01) H01L 33/00 (2006.01)
Patent
CA 2321118
A gallium nitride semiconductor layer is fabricated by masking an underlying gallium nitride layer (104) with a first mask (106) that includes a first array of openings therein and growing the underlying gallium nitride layer (104) through the first array of openings and onto the first mask, to thereby form a first overgrown gallium nitride semiconductor layer (108a, b). The first overgrown layer is then masked with the second mask (206) that includes a second array of openings therein. The second array of openings is laterally offset from the first array of openings. The first overgrown gallium nitride layer (108a, b) is then grown through the second array of openings and onto the second mask (206), to thereby form a second overgrown gallium nitride semiconductor layer (208a, b). Microelectronic devices (210) may then be formed in the second overgrown gallium nitride semiconductor layer (208a, b).
L'invention concerne un procédé permettant de produire une couche semi-conductrice de nitrure de gallium. Ce procédé consiste à masquer une couche (104) de nitrure de gallium sous-jacente avec un premier masque (106) comprenant une première série d'ouvertures et à faire croître la couche (104) de nitrure de gallium à travers cette première série d'ouvertures et sur le premier masque, et à former ainsi la couche (108 a,b) de nitrure de gallium de recouvrement. On masque ensuite cette couche de recouvrement avec un second masque (206) comprenant une seconde série d'ouvertures. La seconde série d'ouvertures est décalée latéralement par rapport à la première série d'ouvertures. On fait ensuite croître la première couche (108 a,b) de nitrure de gallium de recouvrement à travers la seconde série d'ouvertures et sur le second masque (206) de manière à former une seconde couche (208 a,b) de recouvrement semi-conductrice de nitrure de gallium. Des dispositifs (210) micro-électronique peuvent être formés dans cette seconde couche
Bremser Michael D.
Davis Robert F.
Nam Ok-Hyun
Zheleva Tsvetanka
North Carolina State University
Sim & Mcburney
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1478927