H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 33/00 (2006.01)
Patent
CA 2545628
Processing a semiconductor wafer can include forming a plurality of Light Emitting Devices (LED) on a semiconductor wafer having a first thickness. The plurality of LEDs on the wafer are brought into contact with a surface of a carrier to couple the wafer to the carrier. The first thickness of the wafer is reduced to a second thickness that is less than the first thickness by processing the backside of the wafer. The carrier is separated from the plurality of LEDs on the wafer and the wafer is cut to separate the plurality of LEDs from one another. Related devices are also disclosed.
La présente invention se rapporte à des procédés de traitement d'une plaquette semi-conductrice, qui peuvent consister : à former une pluralité de dispositifs électroluminescents (DEL) sur une plaquette semi-conductrice possédant une première épaisseur ; à mettre la pluralité de DEL située sur la plaquette en contact avec la surface d'un support, afin de coupler la plaquette au support ; à réduire la première épaisseur de la plaquette à une seconde épaisseur, inférieure à la première épaisseur, en traitant la partie arrière de la plaquette ; à séparer le support de la pluralité de DEL située sur la plaquette, et à découper la plaquette, afin de séparer la pluralité de DEL les uns des autres. L'invention a également trait à des dispositifs associés.
Donofrio Matthew
Slater David B. Jr.
Cree Inc.
Sim & Mcburney
LandOfFree
Methods of processing semiconductor wafer backsides having... does not yet have a rating. At this time, there are no reviews or comments for this patent.
If you have personal experience with Methods of processing semiconductor wafer backsides having..., we encourage you to share that experience with our LandOfFree.com community. Your opinion is very important and Methods of processing semiconductor wafer backsides having... will most certainly appreciate the feedback.
Profile ID: LFCA-PAI-O-1476060