G - Physics – 01 – P
Patent
G - Physics
01
P
G01P 15/125 (2006.01)
Patent
CA 2303044
A precision, micro-mechanical semiconductor accelerometer of the differential- capacitor type comprises a pair of etched opposing cover layers fusion bonded to opposite sides of an etched proofmass layer to form a hermetically sealed assembly. The cover layers are formed from commercially available, Silicon-On- Insulator ("SOI") wafers to significantly reduce cost and complexity of fabrication and assembly. The functional semiconductor parts of the accelerometer are dry-etched using the BOSCH method of reactive ion etching ("RIE"), thereby significantly reducing contamination inherent in prior art wet-etching processes, and resulting in features advantageously bounded by substantially vertical sidewalls.
La présente invention concerne un accéléromètre micromécanique à semi-conducteurs de précision du type à condensateur différentiel. Cet accéléromètre comprend une paire de couches de couverture en opposition gravées, réunies par fusion aux côtés opposés d'une couche de masse étalon gravée de façon à former un ensemble hermétiquement clos. Les couches de couverture sont réalisées à partir de plaquettes SOI (Silicon-On-Insulator) du commerce de façon à diminuer de façon importante les coûts et la complexité de fabrication et d'assemblage. Les pièces fonctionnelles à semi-conducteurs de l'accéléromètre dont gravés à sec selon le procédé BOSCH de gravure ionique réactive ou RIE (Reactive Ion Etching), ce qui diminue de façon importante les risques de contamination inhérents aux techniques de gravure humide selon l'état antérieur de la technique, et ce qui aboutit à des éléments avantageusement liés par des parois sensiblement verticales.
Goldman Arnold E.
Stewart Robert E.
Litton Systems Inc.
Macrae & Co.
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1357261