C - Chemistry – Metallurgy – 23 – C
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
23
C
C23C 16/509 (2006.01) C23C 16/24 (2006.01) H01L 31/04 (2006.01)
Patent
CA 2647595
This invention provides a PCVD process, which can form microcrystalline silicon using hydrogen gas at a low flow rate, and provides a microcrystalline silicon solar cell at lower cost. The method for microcrystalline silicon formation by the PCVD process is characterized by comprising arraying a plurality of antennas, both ends of which are connected respectively to a high-frequency power supply and a ground, within one plane in a vacuum chamber to constitute an array antenna structure, disposing the substrate so as to face the array antenna, raising the temperature of the substrate to 150 to 250ºC, introducing a mixed gas containing hydrogen gas and silane gas into the system, supplying a high-frequency electric power to the plurality of antenna to generate plasma, and regulating the hydrogen gas/silane gas flow rate ratio in the range of 1 to 10 to form, on the substrate, such a microcrystalline silicon film that the ratio between a crystalline silicon-derived Raman scattering intensity at a wavenumber around 520 cm-1, Ic, and a noncrystalline silicon-derived Raman scattering intensity at a wavenumber around 480 cm-1, Ia, i.e., Ic/Ia, is 2 to 6.
Cette invention concerne un processus PCVD, qui peut former un silicium microcristallin à l'aide d'hydrogène gazeux à faible débit, et une cellule solaire à silicium microcristallin à un coût inférieur. Le procédé pour la formation de silicium microcristallin par le processus PCVD se caractérise en ce qu'il comprend la mise en réseau d'une pluralité d'antennes, dont les deux extrémités sont connectées respectivement à une alimentation électrique de haute fréquence et à une terre, dans un plan dans une chambre à vide pour constituer une structure d'antenne réseau, dispose le substrat pour faire face à l'antenne réseau, élève la température du substrat de 150 jusqu'à 250°C, introduit un gaz mélangé contenant de l'hydrogène gazeux et du silane gazeux dans le système, fournit une alimentation électrique de haute fréquence à une pluralité d'antennes pour générer un plasma, et régule le rapport de flux d'hydrogène gazeux/silane gazeux dans la plage de 1 à 10 pour former, sur le substrat, un tel film de silicium microcristallin de sorte que le rapport entre une intensité de diffusion de Raman provenant d'un silicium cristallin pour un nombre d'ondes d'environ 520 cm-1, Ic, et une intensité de diffusion de Raman provenant d'un silicium non cristallin pour un nombre d'ondes autour de 480 cm-1, Ia, par exemple, Ic/Ia, est de 2 à 6.
Itou Norikazu
Takagi Tomoko
Ueda Masashi
Ihi Corporation
Ishikawajima-Harima Heavy Industries Co. Ltd.
Sim & Mcburney
LandOfFree
Microcrystalline silicon film forming method and solar cell does not yet have a rating. At this time, there are no reviews or comments for this patent.
If you have personal experience with Microcrystalline silicon film forming method and solar cell, we encourage you to share that experience with our LandOfFree.com community. Your opinion is very important and Microcrystalline silicon film forming method and solar cell will most certainly appreciate the feedback.
Profile ID: LFCA-PAI-O-1799430