Microelectromechanical systems having trench isolated...

H - Electricity – 01 – L

Patent

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Details

H01L 21/00 (2006.01) B81B 7/00 (2006.01) H01L 29/84 (2006.01)

Patent

CA 2514230

There are many inventions described and illustrated herein. In one aspect, the present invention is directed to a MEMS device, and technique of fabricating or manufacturing a MEMS device, having mechanical structures (12) encapsulated in a chamber prior to final packaging and a contact area (24) disposed at least partially outside the chamber (26), the contact area (24) is electrically isolated from nearby electrically conducting regions by way of dielectric isolation trench (46) that is disposed around the contact area. The material (28) that encapsulates the mechanical structures, when deposited, includes one or more of the following attributes: low tensile stress, good step coverage, maintains its integrity when subjected to subsequent processing, does not significantly and/or adversely impact the performance characteristics of the mechanical structures in the chamber (if coated with the material during deposition), and/or facilitates integration with high- performance integrated circuits. In one embodiment, the material that encapsulates the mechanical structures is, for example, silicon (polycrystalline, amorphous or porous, whether doped or undoped), silicon carbide, silicon-germanium, germanium, or gallium-arsenide.

De nombreux aspects de cette invention sont décrits et illustrés dans les pièces descriptives de la demande. Dans l'un des ses aspects, cette invention concerne un dispositif à système microélectromécanique (MEMS), ainsi qu'une technique pour fabriquer un tel dispositif MEMS, comportant des structures mécaniques encapsulées dans une chambre avant la mise sous boîtier final, et une zone de contact disposée au moins partiellement à l'extérieur de ladite chambre. Cette zone de contact isolée électriquement des zones électroconductrices proches par une tranchée d'isolation diélectrique qui est située autour de la zone de contact. Une fois déposé, le matériau qui encapsule les structures mécaniques possède un ou plusieurs des attributs suivants : il présente une faible résistance à la traction et une bonne couverture des paliers, il conserve son intégrité lorsqu'il est soumis à des opérations de traitement ultérieures, il ne modifie pas de façon notable et/ou néfaste les performances des structures mécaniques dans la chambre (si elles sont recouvertes par le matériau de dépôt) et/ou il facilite son intégration avec des circuits intégrés hautes performances. Dans un mode de réalisation, le matériau qui encapsule les structures mécaniques est par exemple du silicium (polycristallin, amorphe ou poreux, soit dopé soit non dopé), du carbure de silicium, du silicium-germanium, du germanium ou de l'arséniure de gallium).

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