G - Physics – 03 – F
Patent
G - Physics
03
F
G03F 7/26 (2006.01) G03F 7/20 (2006.01)
Patent
CA 2198865
A method is disclosed for the manufacture of microstructures and devices. The method is relatively easy to implement, and has the capability to produce features having a resolution of ten microns or smaller with a high aspect ratio (60, 75, 100, 200, or even higher). A master mask, appropriately designed and fabricated, is used in an initial exposure step with visible light, ultraviolet light, x-rays, an electron beam, or an ion beam to make a "transfer mask" directly on the surface of the sample. It is not necessary to produce an expensive x-ray master mask, even if x-ray exposure of the sample is desired. There is no necessity for gap control during exposure of the resist through the transfer mask. The resulting structures may, if desired, have a higher aspect ratio than microstructures that have previously been produced through other methods. The "transfer mask" is not a unit separate from the sample, but is formed directly on the surface of each sample. A conventional-type master mask is used to form the "transfer mask" with visible light, ultraviolet light, x-rays, an electron beam, or an ion beam. The total cost is determined primarily by the cost of the master mask. Because the master mask can be a conventional-type optical mask, the high cost of producing a conventional x-ray mask can be avoided. The "master mask" is used to form a "transfer mask" on each sample individually. The patterned transfer mask comprises a thin layer of an absorber of the radiation to be used in the final exposure. For example, if the final exposure is to be performed with soft x-rays, the transfer mask may be formed from an x-ray absorber such as a patterned layer of gold. The transfer mask is then used in one or more separate exposures of the underlying resist. An analogous method may be used for radiation-assisted chemistry, such as etching or deposition, on the surface of a sample.
L'invention concerne un procédé pour la fabrication de microstructures et de dispositifs. Le procédé est relativement simple à mettre en oeuvre et se caractérise en ce qu'on obtient une résolution de l'ordre de 10 microns ou moins avec un rapport d'aspect élevé (60, 75, 100, 200 ou même davantage). Un masque principal, conçu et fabriqué de manière appropriée, est utilisé dans une étape d'exposition initiale avec de la lumière visible, de la lumière ultraviolette, des rayons X, un faisceau d'électrons ou un faisceau d'ions pour réaliser un "masque de transfert" directement sur la surface de l'échantillon. Il n'est pas nécessaire de produire un masque principal à rayons X coûteux, même si l'exposition aux rayons X de l'échantillon est souhaitée. Il n'est pas nécessaire de contrôler l'intervalle lors de l'exposition de la réserve à travers le masque de transfert. Les structures obtenues peuvent, si on le souhaite, avoir un rapport d'aspect plus élevé que des microstructures qui ont été produites intérieurement par d'autres procédés. Le "masque de transfert" n'est pas une unité séparée de l'échantillon mais est formée directement sur la surface de chaque échantillon. Un masque principal de type classique est utilisé pour former le "masque de transfert" avec une lumière visible, une lumière ultraviolette, des rayons X, un faisceau d'électrons ou un faisceau d'ions. Le coût total est déterminé essentiellement par le coût du masque principal. Etant donné que ce masque principal peut être un masque optique de type classique, le coût élevé de production d'un masque à rayons X classique peut être éliminé. Le "masque principal" est utilisé pour former un "masque de transfert" sur chaque échantillon individuellement. Le masque de transfert à motifs comprend une fine couche d'un absorbeur de la radiation à utiliser dans l'exposition finale. Par exemple, si l'exposition finale doit être effectuée avec des rayons X doux, le masque de transfert peut être formé à partir d'un absorbeur de rayons X tel qu'une couche d'or à motifs. Le masque de transfert est alors utilisé dans une ou plusieurs expositions séparées de la réserve sous-jacente. Un procédé analogue peut être utilisé pour un processus chimique assisté par radiations, tel qu'un dépôt ou attaque chimique, sur la surface d'un échantillon.
Saile Volker
Vladimirsky Olga
Vladimirsky Yuli
Board Of Supervisors Of Louisiana State University And Agricultu
Mcfadden Fincham
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1834471