H - Electricity – 03 – F
Patent
H - Electricity
03
F
H03F 3/60 (2006.01) H03F 3/193 (2006.01)
Patent
CA 2342175
A microwave amplifier (10) comprises an inductor (12) and a resistor (13), which are connected in parallel between the source electrode of a field-effect transistor (11) and ground. The inductor (12) resonates at resonance frequency (fo) because it has a parasitic component (B). Since the source electrode of the field-effect transistor (11) is grounded through the resistor (13) connected in parallel with the inductor (12), however, the field-effect transistor (11) operates normally even if resonance makes the inductor (12) open. Therefore, the microwave amplifier (10) performs stable operation.
L'invention porte sur un amplificateur de micro-ondes (10) comportant un inducteur (12) et une résistance (13) montés en parallèles entre l'électrode source d'un transistor (11) à effet de champ et la masse. L'inducteur (12) résonne à la fréquence fo car il présente une composante parasite (B). Comme l'électrode source du transistor (11) à effet de champ est mise à la masse via la résistance (13) et montée en parallèle avec l'inducteur (12), ledit transistor (11) fonctionne normalement même si la résonance fait s'ouvrir l'inducteur (12). L'amplificateur de micro-ondes (10) s'en trouve donc stabilisé.
Itoh Yasushi
Nakahara Kazuhiko
Gowling Lafleur Henderson Llp
Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1667239