C - Chemistry – Metallurgy – 23 – C
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
23
C
C23C 16/02 (2006.01) B05D 3/06 (2006.01) C23C 16/40 (2006.01) C23C 16/50 (2006.01) C23C 16/511 (2006.01) C23C 16/54 (2006.01) H01J 37/32 (2006.01)
Patent
CA 2146369
Method and apparatus for the simultaneous plasma assisted chemical vapor deposition of thin film material onto an elongated web of substrate material at a plurality of discrete spatially separated deposition zones (12). In order to accomplish said simultaneous deposition, the web of substrate material (10) is operatively positioned so as to assume a serpentine path of travel through a reduced pressure enclosure (1). By using an elongated linear applicator (4) as a source of microwave energy, a high rate of uniform deposition of said thin film material over a plurality of large areas of the web substrate material can be simultaneously achieved without heating of said web above the melting point thereof. In a preferred embodiment, the web of substrate material is formed of a low temperature, microwave transmission synthetic plastic resin and the thin film material deposited thereupon forms a barrier coating for preventing oxygen diffusion therethrough.
L'invention concerne un procédé et un appareil pour la déposition simultanée en phase gazeuse par procédé chimique et assistée au plasma d'un film mince sur une bande allongée d'un substrat sur plusieurs zones individuelles de déposition séparées dans l'espace (12). Afin d'effectuer ladite déposition simultanée, la bande de matière du substrat (10) est positionnée afin d'assumer un trajet en serpentin à travers une enceinte (1) à pression réduite. En utilisant un applicateur linéaire allongé (4) comme source d'énergie à micro-ondes, il est possible d'obtenir simultanément un taux élevé de déposition uniforme de matière du film mince sur une pluralité de grandes zones du matériau du substrat en bande sans devoir chauffer ladite bande à une température supérieure à son point de fusion. Dans un mode préférentiel de réalisation, la bande de matière de substrat est constituée d'une résine plastique synthétique de transmission des micro-ondes de basse température, et le film mince déposé sur la bande de substrat forme un revêtement-barrière qui empêche la diffusion d'oxygène.
Dotter Buddie R. II
Hasegawa Wataru
Izu Masatsugu
Ovshinsky Stanford R.
Energy Conversion Devices Inc.
Macrae & Co.
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1681193