C - Chemistry – Metallurgy – 23 – C
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
23
C
C23C 16/40 (2006.01) C23C 16/02 (2006.01) C23C 16/44 (2006.01) C23C 16/511 (2006.01)
Patent
CA 2218578
A method for depositing, by microwave plasma enhanced chemical vapor deposition, a modified, silicon oxide, barrier coating atop a temperature sensitive substrate; said barrier coating having barrier properties to at least gaseous oxygen and water vapor. The precursor gaseous mixture includes at least a silicon-hydrogen containing gas, an oxygen containing gas and a gas containing at least one element selected from the group consisting of germanium, tin, phosphorus, and boron. The method requires introducing a sufficient flow rate of oxygen-containing gas into the precursor gaseous mixture to eliminate the inclusion of silicon-hydrogen bonds into the deposited coating. The preferred modifier is germanium. Also, a composite material having a microwave-plasma-enhanced-chemical-vapor-deposited silicon oxide (modified or non-modified) barrier coating. The barrier coating has barrier properties to at least gaseous oxygen and water vapor and is substantially free of Si-H bonds. The barrier coating is deposited by the instant method on a temperature sensitive substrate.
Procédé de dépôt, au moyen d'une technique de dépôt de vapeur chimique en phase vapeur au plasma excité par micro-ondes, d'un revêtement modifié en oxyde de silicium formant une barrière sur un substrat sensible à la température, ledit revêtement présentant des caractéristiques de barrière contre au moins l'oxygène gazeux et la vapeur d'eau. Le mélange précurseur gazeux comprend au moins un gaz contenant du silicium-hydrogène, un gaz contenant de l'oxygène et un gaz contenant au moins un élément sélectionné dans le groupe constitué par germanium, étain, phosphore et bore. Ce procédé consiste à introduire un débit suffisant de gaz contenant de l'oxygène dans le mélange précurseur gazeux, afin d'éliminer l'inclusion de liaisons silicium-hydrogène dans le revêtement déposé. Le modificateur préféré est le germanium. Egalement, matériau composite possédant un revêtement barrière en oxyde de silicium (modifié ou non) obtenu au moyen d'un dépôt chimique en phase vapeur au plasma excité par micro-ondes. Ce revêtement présente des caractéristiques de barrière contre au moins l'oxygène gazeux et la vapeur d'eau et est sensiblement exempt de liaisons Si-H. Ledit revêtement est déposé sur un substrat sensible à la température au moyen dudit procédé.
Dotter Buddie R. II
Izu Masatsugu
Energy Conversion Devices Inc.
Macrae & Co.
LandOfFree
Microwave cvd method for deposition of robust barrier coatings does not yet have a rating. At this time, there are no reviews or comments for this patent.
If you have personal experience with Microwave cvd method for deposition of robust barrier coatings, we encourage you to share that experience with our LandOfFree.com community. Your opinion is very important and Microwave cvd method for deposition of robust barrier coatings will most certainly appreciate the feedback.
Profile ID: LFCA-PAI-O-1525798