C - Chemistry – Metallurgy – 23 – C
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
23
C
C23C 16/48 (2006.01) C23C 16/452 (2006.01) C23C 16/511 (2006.01) C23C 16/513 (2006.01)
Patent
CA 2082432
A novel method and apparatus of fabricating thin film materials utilizing high speed gas dynamics relies on supersonic free jets of carrier gas to transport depositing vapor species generated in a microwave discharge to the surface of a prepared substrate where the vapor deposits to form a thin film. The present invention generates high rates of deposition and thin films of unforeseen high quality at tow temperatures.
Cette invention concerne un nouveau procécé et un appareil servant à frabriquer des matériaux à couche mince à l'aide de la dynamique des gaz à grande vitesse, ledit procédé se fondant sur des jets libres supersoniques d'un gaz porteur qui transporte des espèces de vapeur de dépôt, produites dans une décharge à ondes ultracourtes, sur la surface d'un substrat préparé sur lequel la vapeur se dépose pour former une couche mince. Avec cette invention, on obtient des vitesses de dépôt élevées, et des couches minces d'une qualité inattendue à de faibles températures.
Halpern Bret L.
Schmitt Jerome J.
Jet Process Corporation
Ogilvy Renault Llp/s.e.n.c.r.l.,s.r.l.
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1490232