H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 23/427 (2006.01) B81B 3/00 (2006.01) B81B 7/00 (2006.01) H01H 1/00 (2006.01)
Patent
CA 2637414
The present invention is a thermally controlled switch with high thermal or electrical conductivity. Microsystems Technology manufacturing methods are fundamental for the switch that comprises a sealed cavity 213 formed within a stack of bonded wafers 201 , 202, wherein the upper wafer 202 comprises a membrane assembly 205 adapted to be arranged with a gap 21 1 to a receiving structure 210. A thermal actuator material 215, which preferably is a phase change material, e.g. paraffin, adapted to change volume with temperature, fills a portion of the cavity 213. A conductor material, providing a high conductivity transfer structure 216 between the lower wafer 201 and the rigid part 208 of the membrane assembly 205, fills another portion of the cavity 213. Upon a temperature change, the membrane assembly 205 is displaced and bridges the gap 21 1 , providing a high conductivity contact from the lower wafer 201 to the receiving structure 210.
La présente invention concerne un commutateur à régulation thermique présentant une haute conductivité thermique ou électrique. Les procédés de fabrication relevant de la technologie des microsystèmes sont essentiels à la fabrication de ce commutateur, lequel comprend un cavité étanche (213) formée dans un empilement de plaquettes collées (201, 202), la plaque supérieure (202) comprenant un ensemble membrane (205) séparé d'une structure de réception (210) par un espace (102). Un matériau d'activation thermique (215), de préférence sous la forme d'un matériau à changement de phase, tel que de la paraffine, conçu pour changer de volume en fonction de la température, remplit une partie de la cavité (213). Un matériau conducteur permettant d'obtenir une structure de transfert à haute conductivité (216) entre la plaquette inférieure (201) et la partie rigide (208) de l'ensemble membrane (205) remplit une autre partie de la cavité (213). Lors d'un changement de température, l'ensemble membrane (205) se déplace et forme un pont au-dessus de l'espace (102), ce qui permet d'obtenir un contact à haute conductivité entre la plaquette inférieure (201) et la structure de réception (210).
Aac Microtec Ab
Astc Aerospace Ab
Ridout & Maybee Llp
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1798822