C - Chemistry – Metallurgy – 23 – C
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
23
C
C23C 14/34 (2006.01) C22C 29/12 (2006.01)
Patent
CA 2665809
An AC or DC sputtering target for depositing thin films of chromium sub oxides on a substrate contains oxides of chromium, chromium metal and incorporated oxygen. The target has a resistivity of 200 ohm. cm or less. The target can be made from a combination of oxides of chromium powder and chromium metal, such as in powder form, or can be made starting with 100% chromium oxide or sub oxide material that is subjected to a reducing atmosphere either before or during the process of making the target in order to reduce a fraction of the chromium oxide and/or sub oxide material to chromium metal and retained oxygen. Such a target can enable the sputtering process to be conducted using inert argon gas only to yield a thin film of chromium oxide.
La présente invention concerne une cible de pulvérisation cathodique en courant alternatif ou courant continu pour déposer des couches minces de sous-oxydes de chrome sur un substrat contenant des oxydes de chrome, du chrome métal et de l'oxygène incorporé. La cible présente une résistivité égale ou inférieure à 200 ohm.cm. La cible peut être réalisée à partir d'une combinaison de poudre d'oxyde de chrome et de métal chrome, par exemple sous forme de poudre, ou peut être réalisée avec au départ 100% d'oxyde de chrome ou de matériau à base de sous-oxydes de chrome qui est soumis à une atmosphère réductrice soit avant soit pendant le procédé de fabrication de la cible afin de réduire une fraction de l'oxyde de chrome et/ou du matériau à base de sous-oxydes de chrome en chrome métal et de l'oxygène retenu. Une telle cible peut permettre la réalisation du procédé de pulvérisation cathodique à l'aide de gaz argon inerte pour obtenir une couche mince d'oxyde de chrome.
Stevenson David E.
Zhou Li Q.
Gowling Lafleur Henderson Llp
Stevenson David E.
Wintek Electro-Optics Corporation
Zhou Li Q.
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1505265