G - Physics – 11 – C
Patent
G - Physics
11
C
G11C 16/10 (2006.01) G06F 21/00 (2006.01) G11C 7/24 (2006.01) G11C 16/22 (2006.01) G11C 16/26 (2006.01) G11C 16/32 (2006.01)
Patent
CA 2393143
The flash and SRAM memory (112, 113) are embedded within an application specific integrated circuit (ASIC) to provide improved access times and also reduce over all power consumption of a mobile telephone employing the ASIC. The flash memory system (112) includes a flash memory array (130) configured to provide a set of individual flash macros and a flash memory controller (132) for accessing the flash macros. The flash memory controller includes a read while writing unit (144, 146) for writing to one of the flash macros while simultaneously reading from another of the flash macros. The flash memory controller also includes programmable wait state registers (138) and a password register (140) providing a separate password for different portions of the flash memory array. A memory swap unit (149) is provided for swapping high and low memory subsequent to completion of operations performed by the boot loader. Method and apparatus implementations are disclosed.
Selon l'invention on a incorporé dans un circuit intégré spécifique à des applications (ASIC) une mémoire flash et une mémoire RAM statique (112, 113), de manière à offrir des meilleurs temps d'accès et à réduire également la consommation d'énergie d'un téléphone mobile à circuit ASIC. La mémoire flash (112) comprend une matrice de mémoire flash (130) configurée pour offrir un ensemble de macros flash individuelles, ainsi qu'un module de commande (132) de mémoire flash servant à accéder aux macros flash. Ce module de commande comprend une unité de lecture-écriture (144, 146) servant à écrire dans l'une des macros flash tout en permettant une lecture simultanée dans une autre macro flash, ainsi que des registres d'état d'attente programmables (138) et un registre de mots de passe (140) fournissant un mot de passe séparé pour des portions différentes de la matrice de mémoire flash. Une unité de permutation (149) de mémoire sert à basculer d'une mémoire haute à une mémoire basse, par suite de l'achèvement d'opérations exécutées par le chargeur d'amorçage. L'invention concerne encore des mises en oeuvre de ce procédé et de ce dispositif.
Elhusseini Jalal
Jha Sanjay
Khan Safi
Simmonds Stephen
Yu Nicholas K.
Qualcomm Incorporated
Smart & Biggar
LandOfFree
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