H - Electricity – 01 – S
Patent
H - Electricity
01
S
H01S 5/028 (2006.01) H01S 3/094 (2006.01) H01S 5/10 (2006.01) H01S 5/22 (2006.01) H01S 5/14 (2006.01) H01S 5/20 (2006.01)
Patent
CA 2392008
A semiconductor pump laser comprises a ridge waveguide electro-optical structure, which converts a ridge injection current into light and an integrated wavelength selective facet reflector. This reflector controls the longitudinal modal operation of the pump laser. Specifically, the reflector comprises a first reflective structure for reflecting light to return through the ridge waveguide electro-optical structure. A second reflective structure provides wavelength-selective reflectivity when operating in combination with the first reflective structure. In other words, the phase of light reflected from the first and second reflective structures is such that the net reflectivity of the facet is wavelength selective, or favors certain wavelengths over other wavelengths.
L'invention concerne un laser à pompe à semi-conducteur comprenant une structure électro-optique de guide d'ondes à moulures qui convertit un courant d'injection en lumière, ainsi qu'un réflecteur à facette à sélection de longueur d'onde intégré. Ce réflecteur commande le fonctionnement modal longitudinal de ce laser à pompe. Plus particulièrement, ledit réflecteur comprend une première structure réfléchissante destinée à rétroréfléchir la lumière vers la structure électro-optique de guide d'ondes à moulures. Une seconde structure réfléchissante offre une réflectivité à sélection de longueur d'onde lorsqu'elle fonctionne conjointement avec la première structure réfléchissante. En d'autres termes, la phase de la lumière réfléchie à partir desdites première et seconde structures permet une sélection de longueur d'onde pour la réflectivité nette de la facette, ou favorise certaines longueurs d'onde par rapport à d'autres longueurs d'onde.
Borden Ladner Gervais Llp
Corning Lasertron Inc.
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1592186