C - Chemistry – Metallurgy – 22 – C
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
22
C
C22C 27/04 (2006.01) B22F 3/14 (2006.01) C23C 14/34 (2006.01)
Patent
CA 2577162
Molybdenum, sputtering targets and sintering characterized as having no or minimal texture banding or through thickness gradient. The molybdenum sputtering targets having a fine, uniform grain size as well as uniform texture, are high purity and can be micro-alloyed to improved performance. The sputtering targets can be round discs, square, rectangular or tubular and can be sputtered to form thin films on substrates. By using a segment-forming method, the size of the sputtering target can be up to 6 m X 5.5 m. The thin films can be used in electronic components such as Thin Film Transistor - Liquid Crystal Displays, Plasma Display Panels, Organic Light Emitting Diodes, Inorganic Light Emitting Diode Displays, Field Emission Displays, solar cells, sensors, semiconductor devices, and gate device for CMOS (complementary metal oxide semiconductor) with tunable work functions.
L'invention porte sur des cibles de pulvérisation en molybdène et pour frittage caractérisées par l'absence ou la faible formation en bande de texture ou par gradient d'épaisseur. Les cibles de pulvérisation en molybdène ont une dimension de grain uniforme, fine ainsi qu'une texture uniforme, sont de haute pureté et peuvent être micro alliées pour des performances améliorées. Les cibles de pulvérisation peuvent être des disques ronds, elles peuvent être de forme carrée, rectangulaire ou tubulaire et être pulvérisées pour former des films minces sur les substrats. Par procédé de formage de segment, la dimension de la cible de pulvérisation peut atteindre jusqu'à 6 m x 5.5 m. Les films minces peuvent être utilisés dans des composants électroniques tels qu'afficheurs transistor en couches minches à cristaux liquides, écrans à plasma, diodes organiques électroluminescentes, diodes inorganiques électroluminescentes, écrans à émission de champ, cellules solaires, capteurs, dispositifs semiconducteurs et dispositifs gâchette pour MOS complémentaires (circuit intégré à transistors MOS) avec fonctions de travail accordables.
Daily James G. III
Hirt Joseph
Jepson Peter R.
Kumar Prabhat
Lemon Brad
H.c. Starck Inc.
Norton Rose Or S.e.n.c.r.l. S.r.l./llp
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1428020