Monolithic fbar-cmos structure such as for mass sensing

Details Monolithic fbar-cmos structure such as for mass sensing Monolithic fbar-cmos structure such as for mass sensing

H - Electricity

03

H

H03H 9/17 (2006.01) G01G 3/13 (2006.01) G01G 3/16 (2006.01) G01N 5/02 (2006.01)

Patent

CA 2760508

An apparatus comprises a thin-film bulk acoustic resonator such as including an acoustic mirror, a piezoelectric region acoustically coupled to the acoustic mirror, and first and second conductors electrically coupled to the piezoelectric region. In an example, an integrated circuit substrate can include an interface circuit connected to the first and second conductors of the resonator, the integrated circuit substrate configured to mechanically support the resonator. An example can include an array of such resonators co-integrated with the interface circuit and configured to detect a mass change associated with one or more of a specified protein binding, a specified antibody-antigen coupling, a specified hybridization of a DNA oligomer, or an adsorption of specified gas molecules.

Un appareil comprend un résonateur acoustique de volume en couche mince tel que comprenant un miroir acoustique, une région piézoélectrique couplée de manière acoustique au miroir acoustique, et des premier et second conducteurs couplés électriquement à la région piézoélectrique. Dans un exemple, un substrat de circuit intégré peut comprendre un circuit d'interface connecté aux premier et second conducteurs du résonateur, le substrat de circuit intégré étant configuré pour supporter mécaniquement le résonateur. Un exemple peut comprendre un réseau de tels résonateurs co-intégrés avec le circuit d'interface et configurés pour détecter un changement de masse associé à un ou plusieurs d'une liaison de protéine spécifiée, d'un couplage anticorps-antigène spécifié, d'une hybridation spécifiée d'un oligomère d'ADN, ou d'une adsorption de molécules gazeuses spécifiées.

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