Mos systems and methods of use

Details Mos systems and methods of use Mos systems and methods of use

H - Electricity

01

L

H01L 27/04 (2006.01) H01L 21/8238 (2006.01) H01L 27/06 (2006.01) H01L 27/07 (2006.01) H01L 27/092 (2006.01) H01L 27/095 (2006.01) H01L 29/78 (2006.01) H03C 1/00 (2006.01) H03C 3/00 (2006.01)

Patent

CA 2214306

The use of single doping type and/or intrinsic silicon in realization of Schottky barrier junction based single device inverting and single device non-inverting systems which demonstrate operational characteristics similar to multiple device (CMOS) systems, is disclosed. Variations of said single device inverting and single device non-inverting systems can be operated as modulators, nonlatching (SCR's) and/or gate voltage controlled direction of rectification devices. Source Coupled Regeneratively Switching Schottky barrier CMOS device systems comprising seriesed N-Channel and P-Channel MOSFETS, are also disclosed. Self-delineating device fabrication procedures for realizing Schottky barrier MOSFETS with leakage current limiting Schottky barrier junctions only at the ends of semiconductor channel regions, are further disclosed. Presented are experimentally obtained results which demonstrate operational characteristics of P and N-Channel Schottky barrier MOSFET devices fabricated by a disclosed fabrication procedure in which chromium was used as a Schottky barrier silicide forming metal. The present invention promises to increase packing density in CMOS circuitry by at least one-third and offers increased speed of operation inherrant with Schottky barrier junctions.

Utilisation de silicium intrinsèque et(ou) à dopage unique dans les systèmes inverseurs et non inverseurs mono-composant à jonction de Schottky qui présentent des caractéristiques de fonctionnement semblables à celles des systèmes (CMOS) multi-composants. Des variations desdits systèmes inverseurs et non inverseurs mono-composant peuvent fonctionner comme modulateurs, thyristors sans amorçage et(ou) redresseurs commandés par tension de gâchette. Sont également présentés : des systèmes de commutation régénérative à composants CMOS et barrière de Schottky couplés par la source, comprenant des MOSFET série à canal N et à canal P; des procédures de fabrication de composants autodélimitants destinés à des MOSFET à jonctions de Schottky limitant le courant de fuite, seulement aux extrémités zones de canal de semiconducteur; des résultats d'expériences montrant les caractéristiques de fonctionnement de composants de MOSFET à barrière de Schottky, à canaux P et N, fabriqués suivant une procédure décrite dans laquelle le chrome est le métal utilisé pour former le siliciure des barrières de Schottky. La présente invention promet d'accroître au moins du tiers la densité d'intégration des circuits CMOS et augmente la vitesse de fonctionnement inhérente aux jonctions de Schottky

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