Multi-layered structure for fabricating an ohmic electrode...

H - Electricity – 01 – L

Patent

Rate now

  [ 0.00 ] – not rated yet Voters 0   Comments 0

Details

H01L 29/45 (2006.01) H01L 21/285 (2006.01)

Patent

CA 2203557

A laminate for forming ohmic electrode having practically satisfactory properties for contact with a III-V compound semiconductor such as GaAs, and an ohmic electrode obtained by using this laminate. A semiconductor layer such as non-single-crystal In0.7Ga0.3As layer, a thin metal film such as Ni, a thin metal nitride film such as Wn and a thin high-melting metal film such as W are successively formed on a III-V compound semiconductor substrate such as n+- type GaAs substrate by sputtering. These films are then patterned by lifting- off to form a laminate for forming ohmic electrode. Then, the laminate is heat- treated by, for example, the RTA method at 500 to 600 ~C, e.g., at 550 ~C for one second to form an ohmic electrode.

Cette invention concerne un laminé permettant de former une électrode ohmique possédant des propriétés pratiquement satisfaisantes pour entrer en contact avec un semi-conducteur de composé III-V tel que du GaAs, ainsi qu'une électrode obtenue à partir de ce laminé. Une couche semi-conductrice, tel qu'une couche d'In¿0,7?Ga¿0,3?As non monocristallin, une couche métallique mince telle que du Ni, une couche mince de nitrure de métal tel que WN et, enfin, une couche mince d'un métal à température de fusion élevée tel que du W, sont formées successivement par bombardement ionique sur un substrat de semi-conducteur de composé III-V, tel qu'un substrat de GaAs de type n?+¿. Ces couches sont ensuite mises en forme par arrachement afin de former un laminé permettant de former une électrode ohmique. Le laminé est ensuite soumis à un traitement thermique, par exemple d'après le procédé RTA, et ceci à une température de 500 à 600~ C, par exemple à une température de 550~ C, et pendant une seconde, de manière à former ladite électrode ohmique.

LandOfFree

Say what you really think

Search LandOfFree.com for Canadian inventors and patents. Rate them and share your experience with other people.

Rating

Multi-layered structure for fabricating an ohmic electrode... does not yet have a rating. At this time, there are no reviews or comments for this patent.

If you have personal experience with Multi-layered structure for fabricating an ohmic electrode..., we encourage you to share that experience with our LandOfFree.com community. Your opinion is very important and Multi-layered structure for fabricating an ohmic electrode... will most certainly appreciate the feedback.

Rate now

     

Profile ID: LFCA-PAI-O-1785691

  Search
All data on this website is collected from public sources. Our data reflects the most accurate information available at the time of publication.