C - Chemistry – Metallurgy – 09 – K
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
09
K
C09K 11/08 (2006.01) C09K 11/77 (2006.01) C09K 11/84 (2006.01) C23C 14/06 (2006.01) C23C 14/30 (2006.01) C23C 14/54 (2006.01) C30B 25/16 (2006.01) H01B 3/02 (2006.01)
Patent
CA 2431084
A method for the deposition of a thin film of a pre-determined composition e.g. a phosphor, onto a substrate, in which the composition is a ternary, quaternary or higher composition, especially a composition selected from the group consisting of thioaluminates, thiogallates and thioindates of at least one element from Groups IIA and IIB of the Periodic Table. In the embodiment, the method comprises placing a pellet of at least one sulphide on a first source and placing a pellet of at least one sulphide on a second source, with one pellet containing dopant. Vapour deposition onto the substrate is effected with separate electron beams. The rate of vaporizing of the sulphides is monitored with separate shielded coating rate monitors. The temperature of the sources is controlled to obtain the composition on the substrate. The method is particularly used for deposition of ternary or quaternary phosphors on substantially opaque substrates in electroluminescent devices.
L'invention se rapporte à un procédé de dépôt sur un substrat d'un film mince ayant une composition préétablie, constituée par exemple d'un luminophore, ladite composition étant une composition ternaire, quaternaire ou plus, notamment une composition sélectionnée dans le groupe constitué par les thioaluminates, les thiogallates et les thioindates d'au moins un élément des groupes IIA et IIB du tableau périodique. Dans le mode de réalisation décrit, le procédé consiste à placer un granule d'au moins un sulfure sur une première source et à placer un granule d'au moins un sulfure sur une seconde source, l'un de ces granules contenant au moins au élément dopant. Le dépôt par évaporation sous vide sur le substrat est effectué aux moyens de faisceaux électroniques distincts. Le taux de vaporisation des sulfures est contrôlé au moyen de dispositifs blindés distincts de contrôle du taux de formation de revêtement. La température des sources est réglée aux fins de l'obtention de la composition sur le substrat. Ce procédé est particulièrement adapté à la formation d'un dépôt de luminophores ternaires ou quaternaires sur des substrats sensiblement opaques dans des dispositifs électroluminescents.
Ifire Ip Corporation
Ifire Technology Inc.
Sim & Mcburney
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1892302