H - Electricity – 01 – S
Patent
H - Electricity
01
S
H01S 5/343 (2006.01) H01S 5/34 (2006.01) H01S 5/10 (2006.01) H01S 5/30 (2006.01) H01S 5/323 (2006.01)
Patent
CA 2322532
An n-type modulation dope multiple quantum well semiconductor laser having a multiple quantum well structure comprising a heterojunction structure of a well layer and a barrier layer, wherein the well layer is made of a nondoped semiconductor material, the barrier layer is made of a semiconductor material modulation-doped with an n-type dopant, a low-reflectance film is formed on the front edge face, a high-reflectance film is formed on the back edge face, the cavity length is 800 µm or more, and the mirror loss (.alpha.m) expressed by .alpha.m=(1/2L)ln(1/(Rf.Rr)) (where L is the cavity length (cm), Rf is the reflectance of the front edge face, and Rr is the reflectance of the back edge face) is 15 cm-1 or less. The output of the laser is high compared with conventional nondoped MQW semiconductor lasers, and the industrial value of the laser used as, e.g., a 1480-nm laser for EDFA excitation is high.
Cette invention concerne un laser à semi-conducteur, à puits quantiques multiples, à dopage modulé de type n, comprenant une structure à hétérojonction d'une couche de puits et d'une couche d'arrêt. La couche de puits est faite d'un matériau semi-conducteur non dopé, la couche d'arrêt d'un matériau semi-conducteur à dopage modulé avec un dopant de type n. On forme un film à faible réflexion sur la face du bord avant, et un film à réflexion élevée sur la face du bord arrière; la longueur de la cavité à est de 800 µm ou plus, et la perte miroir (.alpha.¿m?) exprimée par .alpha.¿m? = (1/2L)ln(1(Rf.Rr)) (dans laquelle L est la longueur de la cavité (cm), Rf est la réflexion de la face du bord avant et Rr la réflexion de la face du bord arrière) est de 15 cm?-1¿ ou moins. Comparée à celle de lasers à semi-conducteur à puits quantiques multiples non dopés classiques, l'émission laser est élevée, de même qu'est élevée la valeur industrielle du laser selon l'invention utilisé par exemple comme laser de 1480 nm pour excitation EDFA (amplificateur dopé à l'erbium)
Kasukawa Akihiko
Kumada Kouji
Shimizu Hitoshi
Smart & Biggar
The Furukawa Electric Co. Ltd.
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-2042113