G - Physics – 11 – C
Patent
G - Physics
11
C
G11C 16/02 (2006.01) G11C 16/06 (2006.01) G11C 16/08 (2006.01)
Patent
CA 2754062
A NAND flash memory device is disclosed. The NAND flash memory device includes a NAND flash memory array defined as a plurality of sectors. Row decoding is performed in two levels. The first level is performed that is applicable to all of the sectors. This can be used to select a block, for example. The second level is performed for a particular sector, to select a page within a block in the particular sector, for example. Read and program operations take place to the resolution of a page within a sector, while erase operation takes place to the resolution of a block within a sector.
L'invention concerne un dispositif de mémoire flash NAND. Le dispositif de mémoire flash NAND comprend un réseau de mémoire flash NAND défini comme une pluralité de secteurs. Un décodage de rangée est mis en uvre dans deux niveaux. Le premier niveau mis en uvre est applicable à tous les secteurs et peut servir à sélectionner un bloc, par exemple. Le deuxième niveau mis en uvre pour un secteur particulier afin de sélectionner une page dans un bloc du secteur particulier, par exemple. Des opérations de lecture et de programme sont produites par rapport à la résolution d'une page dans un secteur, et une opération d'effacement est produite par rapport à la résolution d'un bloc dans un secteur.
Hammond Daniel
Mosaid Technologies Incorporated
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1463513