H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 27/06 (2006.01) H01L 21/329 (2006.01) H01L 21/331 (2006.01) H01L 21/334 (2006.01) H01L 21/335 (2006.01) H01L 21/8252 (2006.01) H01L 29/739 (2006.01) H01L 29/772 (2006.01) H01L 29/775 (2006.01) H01L 29/861 (2006.01)
Patent
CA 2444681
Diode devices with superior and pre-settable characteristics and of nanometric dimensions, comprise etched insulative lines (8, 16, 18) in a conductive substrate to define between the lines charge carrier flow paths, formed as elongate channels (20) at least 100 nm long and less than 100 nm wide. The current-voltage characteristic of the diode devices are similar to a conventional diode, but both the threshold voltage (from 0V to a few volts) and the current level (from nA to µA) can be tuned by orders of magnitude by changing the device geometry. Standard silicon wafers can be used as substrates. A full family of logic gates, such as OR, AND, and NOT, can be constructed based on this device solely by simply etching insulative lines in the substrate.
La présente invention se rapporte à des dispositifs à diodes présentant des caractéristiques supérieures pouvant être prédéterminées et de dimensions nanométriques. Ces dispositifs comprennent des lignes isolantes (8, 16, 18) gravées dans un substrat conducteur permettant de définir entre elles des chemin d'écoulement des porteurs de charges et se présentant sous la forme de canaux allongés (20) de longueur au moins égale à 100 nm et de largeur inférieure à 100 nm. La caractéristique courant-tension de ces dispositifs à diodes est semblable à celle d'une diode classique, mais la tension de seuil (de 0V à quelques volts) et le niveau de courant (de nA à µA) peuvent être accordés par ordres de grandeur au moyen d'un changement de la géométrie du dispositif. Des plaquettes en silicium normalisées peuvent être utilisées en tant que substrats. Un unique dispositif de ce type peut servir à la construction d'une famille entière de portes logiques, telles que les portes OU, ET et NON par simple gravure de lignes isolantes dans le substrat.
Omling Par
Song Aimin
Btg International Limited
Gowling Lafleur Henderson Llp
Pragmatic Printing Limited
LandOfFree
Nanoelectronic devices and circuits does not yet have a rating. At this time, there are no reviews or comments for this patent.
If you have personal experience with Nanoelectronic devices and circuits, we encourage you to share that experience with our LandOfFree.com community. Your opinion is very important and Nanoelectronic devices and circuits will most certainly appreciate the feedback.
Profile ID: LFCA-PAI-O-1772899