G - Physics – 03 – F
Patent
G - Physics
03
F
G03F 7/00 (2006.01) B05D 7/00 (2006.01) H01L 21/20 (2006.01) H01L 21/288 (2006.01) H01L 21/311 (2006.01) H01L 21/316 (2006.01) H01L 21/318 (2006.01) H01L 21/3213 (2006.01) H01L 51/00 (2006.01)
Patent
CA 2308302
The invention relates to nanometric structuring and decorating of substrates. The invention especially relates to surface decorated substrates on which ordered nanometric surface structures are deposited, said structures being comprised of metal and/or metal oxide clusters and/or semiconductor clusters. The invention also relates to a method for producing and applying said surface decorated structures in order to epoxidize C3-C8-alkenes or to oxidize CO to CO2, and relates to surface structured substrates, especially Pt, Au, GaAs, InyGaAs, AlxGaAs, Si, SiO2, Ge, SixNy, SixGaAs, InP, InPSi, GaInAsP, glass, graphite, diamond, mica, SrTiO3 or the doped modifications thereof, which are nanometrically structured over macroscopic areas. In addition, the invention relates to a method for the production of said surface structured substrates. The invention is based on the film formation of core shell polymer systems whose core areas are selectively modified or charged with corresponding metal compounds in a solution and construct the structures which are orderly arranged in the thin films. These films which are deposited on the substrate surfaces are selectively etched in such a way that the organic polymer components are completely removed and, as a result, the substrate is decorated in an orderly arrangement by the inorganic residues. The structured films can further serve as masks which make it possible to selectively etch the substrate and to transfer such a structure, said structure given by the film, to the substrate.
L'invention concerne la structuration et la décoration de substrats dans un domaine de l'ordre du nanomètre. Elle concerne en particulier des substrats superficiellement décorés, présentant des structures superficielles formées de métaux et/ou d'agglomérats d'oxydes métalliques et/ou d'agglomérats de semi-conducteurs, agencées dans un domaine de l'ordre du nanomètre, un procédé de fabrication de tels substrats, leur utilisation pour l'époxydation d'alcènes en C¿3?-C¿8?, éventuellement pour l'oxydation de CO en CO¿2?, ainsi que des substrats à structure superficielle qui sont structurés dans des domaines de l'ordre du nanomètre sur des régions macroscopiques, en particulier en Pt, Au, GaAs, In¿y?GaAs, Al¿x?GaAs, Si, SiO¿2?, Ge, Si¿x?N¿y?, Si¿x?GaAs, InP, InPSi, GalnAsP, verre, graphite, diamant, mica, SrTiO¿3? ou leurs variantes dopées et, également, un procédé pour leur fabrication. L'invention est basée sur la formation d'un film de systèmes polymères à noyau et à couches, dont les régions du noyau sont modifiées ou chargées en solution, sélectivement, par des composés métalliques correspondants et qui forment des structures agencées régulièrement en films minces. Ces films déposés à la surface des substrats peuvent être attaqués sélectivement de façon que les composants polymères organiques soient complètement éliminés et, qu'en même temps, le substrat soit décoré par les résidus inorganiques suivant un agencement régulier. En outre, les films structurés peuvent servir de masques permettant d'attaquer sélectivement le substrat et ainsi, de transférer dans le substrat une structure prédéterminée par le film.
Herzog Thomas
Moller Martin
Mossmer Stefan
Spatz Joachim
Ziemann Paul
Moffat & Co.
Universitat Ulm
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1536804