G - Physics – 11 – C
Patent
G - Physics
11
C
G11C 11/22 (2006.01) H01L 21/02 (2006.01)
Patent
CA 2649797
A nanostructure comprising a first structure comprising conductive material, which is attached to a second structure comprising one or more portions of conductive material separated by insulator material, which is attached to a third structure comprising a material in which a change can be effected. The third structure may comprise a dielectric or ferroelectric material, and the change effected in the material may be polarization of the material. The nanostructure may comprise one or more nanocapacitors, each of which comprises a part of the third structure in which a change comprising polarization may be effected. The nanocapacitors may be used to store data.
Une nanostructure comportant une première structure de matériau conducteur, laquelle est fixée à une deuxième structure comportant une ou plusieurs parties de matériau conducteur séparées par un matériau isolant, laquelle est attachée à une troisième structure comportant un matériau dans lequel un changement peut être effectué. La troisième structure peut contenir un matériau diélectrique ou ferroélectrique, et le changement effectué dans le matériau peut être la polarisation du matériau. La nanostructure peut contenir un ou plusieurs nanocondensateur(s), chacun contenant une partie de la troisième structure dans laquelle un changement comportant la polarisation peut être effectué. Les nanocondensateurs peuvent être utilisés pour stocker des données.
Bowman Robert Morrison
Gregg John Martin
Morrison Finlay Doogan
Pollard Robert James
Scott James Floyd
The Queen's University Of Belfast
Valadares Law Professional Corporation
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1824509