H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 33/00 (2010.01) H01L 29/00 (2006.01)
Patent
CA 2702851
Embodiments of the invention relate to vertical field effect transistor that is a light emitting transistor. The light emitting transistor incorporates a gate electrode for providing a gate field, a first electrode comprising a dilute nanotube network for injecting a charge, a second electrode for injecting a complementary charge, and an electroluminescent semiconductor layer disposed intermediate the nanotube network and the electron injecting layer. The charge injection is modulated by the gate field. The holes and electrons, combine to form photons, thereby causing the electroluminescent semiconductor layer to emit visible light. In other embodiments of the invention a vertical field effect transistor that employs an electrode comprising a conductive material with a low density of states such that the transistors contact barrier modulation comprises barrier height lowering of the Schottky contact between the electrode with a low density of states and the adjacent semiconductor by a Fermi level shift.
Les modes de réalisation de l'invention se rapportent à un transistor à effet de champ vertical qui est un transistor électroluminescent. Le transistor électroluminescent incorpore une électrode de grille permettant de procurer un champ de grille, une première électrode comprenant un réseau de nanotubes dilués permettant d'injecter une charge, une seconde électrode permettant d'injecter une charge complémentaire et une couche semiconductrice électroluminescente disposée entre le réseau de nanotubes et la couche d'injection d'électrons. L'injection de la charge est modulée par le champ de grille. Les trous et les électrons se combinent pour former des photons, ce qui provoque ainsi l'émission de lumière visible de la couche semiconductrice électroluminescente. Selon d'autres modes de réalisation de l'invention, un transistor à effet de champ vertical qui utilise une électrode comprend un matériau conducteur comportant une faible densité d'états telle que la modulation de barrière de contact des transistors comprend une hauteur de barrière abaissant le contact de type Schottky entre l'électrode comportant une faible densité d'états et le semiconducteur adjacent sous l'effet d'un décalage du niveau de Fermi.
Liu Bo
Mccarthy Mitchell Austin
Reynolds John Robert
Rinzler Andrew Gabriel
So Franky
Mbm Intellectual Property Law Llp
University Of Florida Research Foundation Inc.
LandOfFree
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