H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 31/109 (2006.01) H01L 29/772 (2006.01) H01L 51/30 (2006.01)
Patent
CA 2489827
A permeable base transistor (PBT) having a base layer (112) including metallic nanotubes (110) embedded in a semiconductor crystal material is disclosed. The nanotube base layer separates emitter (104E) and collector (104C) layers of the semiconductor material. A method of making a permeable base transistor (PBT) is disclosed. According to the method, a semiconductor substrate is provided, a base layer is provided on the substrate, and a semiconductor layer is grown over the base layer. The base layer includes metallic nanotubes, which may be grown or deposited on the semiconductor substrate. The nanotube base layer separates emitter and collector layers of semiconductor material.
L'invention concerne un transistor à base perméable (PBT) avec une couche de base (112) comprenant des nanotubes métalliques (110) imbriqués dans un matériau cristallin semi-conducteur. La couche de base à nanotubes sépare les couches d'émetteur (104E) et de collecteur (104C) du matériau semi-conducteur. L'invention concerne aussi un procédé de fabrication d'un transistor à base perméable (PBT). Selon ce procédé, on met en oeuvre un substrat semi-conducteur, que l'on recouvre d'une couche de base sur laquelle on fait croître une couche semi-conductrice. La couche de base comporte des nanotubes métalliques, apportés par croissance ou par dépôt sur le substrat semi-conducteur. La couche de base à nanotubes sépare les couches d'émetteur et de collecteur du matériau semi-conducteur.
Rueckes Thomas
Segal Brent M.
Vogeli Bernhard
Nantero Inc.
Smart & Biggar
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1941396