H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 29/06 (2006.01) C30B 29/62 (2006.01) H01L 29/861 (2006.01)
Patent
CA 2521498
Nano-engineered structures are disclosed, incorporating nanowhiskers of high mobility conductivity and incorporating pn junctions. In one embodiment, a nanowhisker of a first semiconducting material has a first band gap, and an enclosure comprising at least one second material with a second band gap encloses said nanoelement along at least part of its length, the second material being doped to provide opposite conductivity type charge carriers in respective first and second regions along the length of the of the nanowhisker, whereby to create in the nanowhisker by transfer of charge carriers into the nanowhisker, corresponding first and second regions of opposite conductivity type charge carriers with a region depleted of free carriers therebetween. In another embodiment, a nanowhisker is surrounded by polymer material containing dopant material. In a further embodiment, a nanowhisker has a heterojunction between two different intrinsic materials, and Fermi level pinning creates a pn junction at the interface without doping.
L'invention concerne des structures nanotechniques comprenant des nanowhiskers qui présentent une conductivité de mobilité élevée ainsi que des jonctions pn. Dans un mode de réalisation de cette invention, un nanowhisker constitué d'un premier matériau semi-conducteur comporte une première largeur de bande interdite, et une enceinte qui comporte au moins un second matériau ainsi qu'une deuxième largeur de bande interdite entoure l'élément nanométrique au moins partiellement sur sa longueur. Ledit deuxième matériau est dopé pour fournir des porteurs de charge d'un type de conductivité opposé dans une première et une deuxième zone respectives le long du nanowhisker, le transfert de porteurs de charge dans le nanowhisker permettant de créer, au sein dudit nanowhisker, une première et une deuxième zone correspondantes de porteurs de charge d'un type de conductivité opposé qui sont séparées par une zone appauvrie en porteurs libres. Dans un autre mode de réalisation de la présente invention, un nanowhisker est entouré d'un matériau polymère qui contient un matériau de dopage. Dans un autre mode de réalisation de l'invention, un nanowhisker comporte une hétérojonction entre deux matériaux intrinsèques différents, et un ancrage du niveau de Fermi permet de créer une jonction pn à l'interface sans dopage.
Ledebo Lars-Ake
Ohlsson Bjorn Jonas
Samuelson Lars Ivar
Blaney Mcmurtry Llp
Qunano Ab
Startskottet 22286 Ab
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1680301