H - Electricity – 01 – S
Patent
H - Electricity
01
S
H01S 5/12 (2006.01) H01S 5/343 (2006.01) H01S 5/20 (2006.01)
Patent
CA 2329416
High power edge emitting semiconductor lasers are formed to emit with very narrow spectral width at precisely selected wavelengths. An epitaxial structure is grown on a semiconductor substrate, e.g., GaAs, and includes an active region at which light emission occurs, upper and lower confinement layers and upper and lower cladding layers. A distributed feedback grating is formed in an aluminum free section of the upper confinement layer to act upon the light generated in the active region to produce lasing action and emission of light from an edge face of the semiconductor laser. Such devices are well suited to being formed to provide a wide stripe, e.g., in the range of 50 to 100 µm or more, and high power, in the 1 watt range, at wavelengths including visible wavelengths.
Cette invention concerne des lasers à semi-conducteur de grande puissance et à émission latérale qui émettent selon une largeur spectrale très étroite à des longueurs d'onde précises. A cette fin, on fait croître une structure épitaxiale sur un substrat semi-conducteur tel que du GaAs, laquelle structure comprend une région active où se produit l'émission lumineuse, des couches de confinement supérieure et inférieure, ainsi que des couches de gainage supérieure et inférieure. Un réseau à rétroaction répartie est formé dans une section sans aluminium de la couche de confinement supérieure, ceci de manière à agir sur la lumière générée dans la région active et à obtenir ainsi un effet laser ainsi qu'une émission de lumière depuis une face latérale du laser à semi-conducteur. Ces dispositifs se prêtent tout particulièrement à la mise en forme et permettent d'obtenir une bande large, par exemple de 50 à 100 mu m ou plus, ainsi qu'une grande puissance dans la plage de 1 watt à des longueurs d'ondes comprenant également le domaine visible.
Botez Dan
Earles Thomas L.
Mawst Luke J.
Borden Ladner Gervais Llp
Wisconsin Alumni Research Foundation
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1861073