Nitride semiconductor device

Details Nitride semiconductor device Nitride semiconductor device

H - Electricity

01

S

H01S 5/343 (2006.01) H01S 5/20 (2006.01) H01S 5/30 (2006.01) H01S 5/34 (2006.01) H01L 33/00 (2006.01)

Patent

CA 2415056

In the nitride semiconductor device of the present invention, an active layer 12 is sandwiched between a p-type nitride semiconductor layer 11 and an n-type nitride semiconductor layer 13. The active layer 12 has, at least, a barrier layer 2a having an n-type impurity; a well layer la made of a nitride semiconductor that includes In; and a barrier layer 2c that has a p-type impurity, or that has been grown without being doped. An appropriate injection of carriers into the active layer 12 becomes possible by arranging the barrier layer 2c nearest to the p-type layer side.

Dispositif semi-conducteur au nitrure, qui contient une couche semi-conductrice (11) en nitrure de type p, une couche active (12) et une couche semi-conductrice (13) en nitrure de type n, la couche active (12) étant placée en sandwich entre la couche semi-conductrice (11) en nitrure de type p et la couche semi-conductrice (13) en nitrure de type n. Ladite couche active comporte en outre au moins une couche barrière (2a) contenant des impuretés de type n, une couche puits (1a) formée d'une couche semi-conductrice en nitrure contenant In et une couche barrière (2c) possédant des impuretés de type p ou développée par élimination du dopage. La couche barrière (2) est placée en tant que couche barrière située au plus près de la face de couche de type p, un véhicule pouvant être introduit de manière appropriée dans la couche active (2).

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