H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 33/32 (2010.01) H01L 29/15 (2006.01) H01L 29/207 (2006.01) H01L 31/0304 (2006.01) H01L 31/0352 (2006.01) H01L 31/072 (2006.01) H01L 31/109 (2006.01) H01S 5/343 (2006.01)
Patent
CA 2376453
An nitride semiconductor device for the improvement of lower operational voltage or increased emitting output, comprises an active layer comprising quantum well layer or layers and barrier layer or layers between n-type nitride semiconductor layers and p-type nitride semiconductor layers, wherein said quantum layer in said active layer comprises InxGa1-xN (0 < x < 1) having a peak wavelength of 450 to 540 rim and said active layer comprises laminating layers of 9 to 13, in which at most 3 layers from the side of said n-type nitride semiconductor layers are doped with an n-type impurity selected from the group consisting of Si, Ge and Sn in a range of 5 x 10 16 to 2 x 10 18 /cm3.
La présente invention concerne un dispositif électroluminescent à grandes longueurs d'ondes dans lequel une multicouche active constituée d'une couche puits quantiques et d'une couche barrière est située entre une couche semiconducteur à nitrure dopée n et une couche semiconducteur à nitrure dopée p. La couche puits quantiques est composée de In¿x?Ga1¿x?N (avec 0~x~1), la longueur d'onde de la crête d'émission se situe dans la plage dès 450 à 540 nm, caractérisée en ce que le nombre de couches de la multicouche active est compris entre 9 et 13, et trois ou moins à partir de la couche semiconducteur au nitrure dopée n en contact avec elle jusqu'à la troisième couche contiennent des impuretés de dopage appartenant au groupe des Si, Ge, et Sn à une concentration de 5x10?16¿-2x19?18¿/cm?3¿, réduisant ainsi la tension d'excitation du dispositif électroluminescent présentant une structure à puits quantiques, et améliorant la sortie lumineuse.
Kirby Eades Gale Baker
Nichia Corporation
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1535611