H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 29/20 (2006.01) H01L 29/15 (2006.01) H01S 5/323 (2006.01) H01L 33/00 (2006.01)
Patent
CA 2368723
The present invention provides a nitride semiconductor light emitting device with an active layer of the multiple quantum well structure, in which the device has an improved luminous intensity and a good electrostatic withstanding voltage, thereby allowing the expanded application to various products. The active layer (7) is formed of a multiple quantum well structure containing In a Ga1-a N (0 <= a < 1). The p-cladding layer (8) is formed on said active layer containing the p-type impurity. The p-cladding layer (8) is made of a multi-film layer including a first nitride semiconductor film containing A1 and a second nitride semiconductor film having a composition different from that of said first nitride semiconductor film. Alternatively, the p-cladding layer (8) is made of single-layered layer made of Al b Ga1-b N (0 <= b <= 1). A low-doped layer (9) is grown on the p-cladding layer (8) having a p-type impurity concentration lower than that of the p-cladding layer (8). A p-contact layer is grown on the low-doped layer (9) having a p-type impurity concentration higher than those of the p-cladding layer (8) and the low-doped layer (9).
La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur électroluminescent à base de nitrure, qui présente une couche active de la structure multipuits quantique dans laquelle le dispositif a une intensité lumineuse améliorée et une bonne tension de maintien électrostatique, ce qui permet d'adapter son application à divers produits. La couche active (7) est formée d'une structure multipuits quantique contenant InaGa1-aN (0 </= a < 1). La couche de métallisation p (8) est formée sur la couche active contenant l'impureté de type p. La couche de métallisation p (8) est constituée de plusieurs couches minces dont une première couche semi-conductrice à base de nitrure contenant Al, et une deuxième couche semi-conductrice à base de nitrure de composition différente de la première couche semi-conductrice à base de nitrure. Dans un autre mode de réalisation, la couche de métallisation p (8) comporte une seule couche mince constituée de AlbGa1-bN (0 </= b </= 1). Une couche faiblement dopée (9) est réalisée par tirage sur la couche de métallisation p (8) présentant une teneur en impureté de type p inférieure à celle de la couche de métallisation p (8). Une couche de contact p est réalisée par tirage sur la couche faiblement dopée (9) présentant une teneur en impureté de type p supérieure à celles de la couche de métallisation p (8) et de la couche faiblement dopée (9).
Kirby Eades Gale Baker
Nichia Corporation
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1559460