Nitride semiconductor device

Details Nitride semiconductor device Nitride semiconductor device

H - Electricity

01

L

H01L 29/02 (2006.01) H01S 5/32 (2006.01) H01S 5/323 (2006.01) H01L 33/00 (2006.01)

Patent

CA 2276335

A nitride semiconductor device including a light emitting device comprises a n-type region of one or more nitride semiconductor layers having n-type conductivity, a p-type region of one or more nitride semiconductor layers having p-type conductivity and an active layer between the n-type region and the p-type region. In such devices, there is provided a super lattice layer comprising first layers and second layers which are nitride semiconductors having a different composition respectively. The super lattice structure makes working current and voltage of the device lower, resulting in realization of more efficient devices.

L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur au nitrure, tel qu'un dispositif émetteur de lumière, dans lequel on a formé une couche active entre une région semi-conductrice de type N se composant d'une ou de plusieurs couches semi-conductrices de nitrure, et une région semi-conductrice de type P se composant d'une ou de plusieurs couches semi-conductrices de nitrure. Ce dispositif est caractérisé en ce qu'au moins l'une des couches semi-conductrices de nitrure de la région de type P ou de la région de type N consiste en une couche à super-réseau se composant de premières et de secondes couches superposées faites en semi-conducteurs de nitrure dont les compositions diffèrent les unes des autres. Grâce à cet agencement, on diminue le courant et la tension de fonctionnement du dispositif et on améliore l'efficacité de celui-ci.

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