Nitride semiconductor device

Details Nitride semiconductor device Nitride semiconductor device

H - Electricity

01

L

H01L 29/20 (2006.01) H01L 33/06 (2010.01) H01L 33/30 (2010.01) H01L 29/06 (2006.01)

Patent

CA 2322490

According to the nitride semiconductor device with the active layer made of the multiple quantum well structure of the present invention, the performance of the multiple quantum well structure can be brought out to intensify the luminous output thereof thereby contributing to an expanded application of the nitride semiconductor device. The nitride semiconductor device comprises an n-region having a plurality of nitride semiconductor films, a p-region having a plurality of nitride semiconductor films, and an active layer interposed therebetween. A multi-film layer with two kinds of the nitride semiconductor films is formed in at least one of the n-region or the p-region.

L'invention concerne un dispositif semi-conducteur électroluminescent au nitrure, comprenant une couche active d'une structure multiple à puits quantique, située entre une région dopée n comprenant une pluralité de couches semi-conductrices au nitrure et une région dopée p comprenant une pluralité de couches semi-conductrices au nitrure. Ce dispositif possède une sortie d'émission lumineuse améliorée, les caractéristiques de la couche pouvant présenter un puits et pouvant être appliquées à une grande plage de produits d'application variés. Un film multicouche comprenant deux couches de nitrure est formé dans au moins l'une des régions dopée n ou p.

Affiliated with

Also associated with

Rating

Nitride semiconductor device does not yet have a rating. At this time, there are no reviews or comments for this patent.

If you have personal experience with Nitride semiconductor device, we encourage you to share that experience with our LandOfFree.com community. Your opinion is very important and Nitride semiconductor device will most certainly appreciate the feedback.

Rate now

Comments { 0 }

Profile ID: LFCA-PAI-O-1840174