H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 33/02 (2010.01) H01L 33/06 (2010.01)
Patent
CA 2466141
A method for manufacturing a semiconductor device comprises a step of growing a nitride semiconductor layer on a substrate of a different type, a step of, thereafter, joining a support substrate to the nitride semiconductor layer, and a step of, thereafter, removing the substrate of the different type. In the joining step, a conductive layer is formed of an alloy eutectic. In the different-type substrate removing step, the removal is effected by laser beam application, polishing, and chemical polishing. The method further comprises a step of separating the nitride semiconductor layer into chips by etching the exposed surface of the nitride semiconductor layer after the different-type substrate removing step. The method further comprises a step of forming projections and recesses in the exposed surface of the nitride semiconductor layer after the different-type substrate removing step.
La présente invention concerne un procédé pour produire un dispositif à semi-conducteur, comprenant les étapes suivantes: croissance d'une couche de semi-conducteur à base de nitrure sur un substrat d'un type différent; assemblage d'un substrat de support avec la couche de semi-conducteur à base de nitrure; et élimination du substrat de type différent. Au cours de l'étape d'assemblage, une couche conductrice est formée à partir d'un alliage eutectique. Au cours de l'étape d'élimination du substrat de type différent, l'élimination s'effectue par application d'un faisceau laser, polissage et polissage chimique. Le procédé comprend également une étape de séparation de la couche de semi-conducteur à base de nitrure en pastilles, par décapage de la surface exposée de la couche de semi-conducteur à base de nitrure après mise en oeuvre de l'étape d'élimination du substrat de type différent. Le procédé comprend également une étape de formation de parties en saillie et de parties en retrait dans la surface exposée de la couche de semi-conducteur à base de nitrure après mise en oeuvre de l'étape d'élimination du substrat de type différent.
Kamada Kazumi
Nonaka Mitsuhiro
Sano Masahiko
Yamamoto Masashi
Macrae & Co.
Nichia Corporation
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1468251