H - Electricity – 01 – S
Patent
H - Electricity
01
S
H01S 5/042 (2006.01) H01S 5/323 (2006.01) H01S 5/02 (2006.01)
Patent
CA 2400121
A nitride semiconductor laser device of high reliability such that the width of contact between a p-side ohmic electrode and a p-type contact layer is precisely controlled. The device comprises a substrate, an n-type nitride semiconductor layer, an active layer, and a p-type nitride semiconductor layer. All the layers are formed in order on the substrate. A ridge part including the uppermost layer of the p-type nitride semiconductor layer i.e., a p-type contact layer is formed in the p-type nitride i.e., a p-type contact layer is formed in the p-type nitride semiconductor layer. A p-side ohmic electrode is formed on the p-type contact layer of the top of the ridge part. A first insulating film having an opening over the top of the ridge part covers the side of the ridge part and the portion near the side of the ridge part. The p-side ohmic electrode is in contact with the p-type contact layer through the opening. A second insulating film is formed on the first insulating film.
La présente invention concerne un dispositif de laser semiconducteur au nitrure hautement fiable, dont la largeur de contact entre l'électrode ohmique de type p et la couche de contact de type p est commandée précisément. Ce dispositif comprend un substrat, une couche semiconductrice de nitrure de type n, une couche active et une couche semiconductrice de nitrure de type p. Toutes ces couches sont formées en ordre sur ce substrat. Une partie arête comprend la couche la plus supérieure de la couche semiconductrice de nitrure de type p, c'est à dire qu'on forme une couche de contact de type p dans la couche semiconductrice de nitrure de type p. on forme une électrode ohmique de type p sur la couche de contact de type p du dessus de l'arrête. Un premier film isolant possédant une ouverture sur le dessus de la partie arête recouvre le côté de la partie arête et la partie située près de ce côté de la partie arête. L'électrode ohmique de type p est en contact avec la couche de contact de type p à travers l'ouverture. On forme un second film isolant sur le premier film isolant.
Kirby Eades Gale Baker
Nichia Corporation
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-2048078